Laser infrarouge à base de semi-conducteurs de la filière silicium
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چکیده
Nous présentons les récents développements scientifiques et techniques liés aux sources lasers infrarouges en micro-cavités à base d’alliages germanium-étain (GeSn). Ces alliages sont des matériaux semi-conducteurs de la filière silicium compatibles avec procédés fabrication bas coût l’industrie micro-électronique. Un enjeux est d’obtenir un alignement direct structure bande électronique ces éléments colonne IV.
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ژورنال
عنوان ژورنال: Photoniques
سال: 2021
ISSN: ['2269-8418', '1629-4475']
DOI: https://doi.org/10.1051/photon/202110940